Samsung Electronicsは、業界で「最高容量」とされる新しい高帯域幅メモリチップHBM3E 12Hを開発したと発表した。このチップは、性能と容量を50%以上向上させると主張している。この新しいメモリソリューションは、AI時代の高容量HBM市場における技術的リーダーシップを目指すSamsungの取り組みの一環である。Samsungは世界最大の動的ランダムアクセスメモリ(DRAM)チップメーカーであり、OpenAIのChatGPTのような生成AIモデルには、大量の高性能メモリチップが必要である。AIアプリケーションの急増により、HBM3E 12Hは将来のシステムに最適なソリューションと期待されている。Samsungは顧客へのチップのサンプリングを開始し、HBM3E 12Hの量産を2024年上半期に予定している。
Samsungは、Nvidiaに高帯域幅メモリ3チップを供給する契約を獲得した。また、HBM3E 12Hは12層スタックを採用しているが、進歩した熱圧縮非導電フィルムを適用することで、12層製品でも8層製品と同じ高さ仕様を満たし、物理的なフットプリントを増やさずにより多くの処理能力を実現している。SamsungはNCF材料の厚さを低減し、チップ間の業界最小ギャップ7マイクロメートルを実現し、層間の空隙を排除することで、HBM3 8H製品と比較して垂直密度を20%以上向上させたと述べている。
【ニュース解説】
Samsung Electronicsが、業界で「最高容量」とされる新型の高帯域幅メモリチップHBM3E 12Hを開発したと発表しました。このチップは、性能と容量を50%以上向上させることができるとされています。この技術革新は、AI時代の高容量HBM市場における技術的リーダーシップを目指すSamsungの取り組みの一環です。
この新しいメモリチップは、特に生成AIモデル、例えばOpenAIのChatGPTのようなアプリケーションにとって重要です。これらのAIモデルは、過去の会話やユーザーの好みを記憶し、人間らしい反応を生成するために、大量の高性能メモリチップを必要とします。AIアプリケーションの需要が急増する中、HBM3E 12Hは将来のシステムに最適なソリューションと期待されており、顧客はリソースをより柔軟に管理し、データセンターの総所有コストを削減できるようになるとされています。
Samsungは、このチップのサンプリングを顧客に対して開始し、2024年上半期には量産を開始する予定です。HBM3E 12Hは12層スタックを採用していますが、進歩した熱圧縮非導電フィルムを適用することで、12層製品でも8層製品と同じ高さ仕様を満たすことができ、物理的なフットプリントを増やさずにより多くの処理能力を実現しています。さらに、SamsungはNCF材料の厚さを低減し、チップ間の業界最小ギャップ7マイクロメートルを実現し、層間の空隙を排除することで、垂直密度を20%以上向上させました。
この技術革新は、AI技術の進化とともに、より高度な計算能力とデータ処理能力を必要とするアプリケーションの発展を支えるものです。しかし、このような高性能チップの開発は、エネルギー消費や熱管理といった課題をもたらす可能性があります。また、高度な技術を要するため、これらのチップの生産には高いコストがかかることが予想されます。これらの課題に対処するためには、効率的なエネルギー管理技術の開発や、コスト削減を目指した生産プロセスの改善が求められます。
長期的には、このような高性能メモリチップの開発は、AI技術のさらなる進化を促し、スマートデバイス、自動運転車、ロボティクスなど、さまざまな分野での革新的なアプリケーションの実現に貢献することが期待されます。また、データセンターの効率化や、より高度なAIモデルの開発を可能にすることで、ビジネスや科学研究における新たな可能性を開くことにもつながります。
from Samsung unveils new memory chip with 'highest-capacity to date' for AI.
